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    这项技术虽然没有大规模商业化，但已经有了雄厚的基础，在过去的二十年间，全球科学家围绕半导体纳米线开展了系统深入的研究，为半导体纳米线功能器件领域，带来了蓬勃发展。

    根据web    of    science的检索结果统计，从1999年到2015年，全世界关于半导体纳米线研究sci论文总数超过17万篇。

    经过这些年的发展，大家对半导体纳米线的可控制备、性能调控、器件构筑与应用的认识不断加深。

    半导体纳米线技术也渐渐在不同领域，展现了巨大应用潜力，正逐渐从基础研究走向实际应用。

    目前，基于半导体纳米线的场效应管、纳米发电机、纳米芯片、场发射器件、太阳能电池、发光二极管、激光器、光电探测器、光波导器件、存储器件、光催化以及高敏感化学与生物传感器等功能器件，相继被研制出来。

    虽然，这些仅仅是实验室产品，成本极高，并无法大规模商用。

    它未来的潜力和价值，却是无法估量的。

    特别是在半导体领域，半导体纳米线承载着全球科学家的期盼，有望实现半导体功能器件领域的变革性发展。

    根据一些相关领域的大牛展望，半导体纳米线功能器件，或许将成为纳米科技走向应用的重要突破点。

    对芯片、各种半导体器材而言，小型化、低能耗和智能化一直是其重要的发展趋势。

    当半导体器件线宽小于100nm时，将对设备和制造工艺提出更高要求，成本增加巨大，传统工艺的局限性越严重。

    而基于传统工艺的光刻机，从起初的uv光刻机水平，逐步提升到了duv光刻机水平，再发展到现在的euv光刻机水平，在这条路上越走越远。

    设备越来越大，成本越来越高。

    它还有一个致命的缺点，就是有自身的物理极限，发展到一定的地步，就无法再深入发展下去了。

    众所周知，光刻机也称紫外线光刻机，是利用紫外线加工芯片，duv光刻机就是深紫外线光刻机，euv光刻机就是极深紫外线光刻机。

    光的颜色越靠近红色，它的频率越低；越靠近紫色，它的频率就越高。光的速度是一个常数，频率越高，波长越小。

    euv光刻机采用的光频率是极深紫外线频率，对应的波长大约为10~15纳米；duv光刻机采用的光频率是深紫外线频率，对应的波长大约为200纳米；uv光刻机采用的光频率是紫外线频率，其对应的波长大约为360纳米。

    也就是说，光刻机越先进，需要的光频率越高。
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